长沙通讯温度传感器IC

时间:2023年10月19日 来源:

    钝化层可为氧化硅层或氮化硅层,也可为叠设的氧化硅层和氮化硅层。上述温度传感器,测温单元设于氧化硅薄膜上,氧化硅薄膜具有较低的导热率,因此不会影响测温单元的测温效果。且氧化硅薄膜与硅之间形成有空腔,空腔下方的硅不会影响空腔上方的氧化硅的隔离效果,在温度传感器的制备过程中,无需通过深槽刻蚀工艺将多余的硅刻蚀掉,因此简化了温度传感器的制备时间,节约了成本。以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。以上实施例表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。好的的温度传感器供应,信任深圳市美信美科技有限公司。长沙通讯温度传感器IC

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    凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。本公司一直秉承优势服务,诚信合作的原则,以现代化管理以及优势的渠道价格、良好的信誉与广大客户建立了长期友好的合作关系,为广大厂商和市场客户提供优势的产品服务。半导体两端的温差不同时,所产生的电动势不同。在本方案中。采用n型半导体和p型半导体构成塞贝克结构且多个塞贝克结构串联,可以增强温度传感器的灵敏度。在一实施例中,可以将温度传感器两输出端子作为冷端且保持冷端温度恒定,将串联的多晶硅层作为热端感测实际环境温度,当环境温度发生变化时,冷端和热端的温差发生变化,因此冷端的电势会发生变化,与显示仪表连接后,显示仪表会显示热电偶受当前环境温度影响得到的电势所对应的热端温度,即当前环境温度。因上述热电偶传感器中上层有金属结构,对于直接暴露在空气中时容易氧化的金属层,其上还需形成有一层钝化层,可对金属结构进行保护。同时,需要在对应温度传感器引出端子处开设有通孔,通过通孔可引出输出端子。在本实施例中,是在外侧多晶硅端部的金属铝上方的钝化层开设有通孔。上海光纤温度传感器哪家划算好的的进口温度传感器哪家好?认准深圳市美信美科技。

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    深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括:一般经营项目是:电子产品及其配件的技术开发与销售;国内贸易等。本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际有名品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。本发明涉及温度传感器领域,特别是涉及一种温度传感器制备方法及温度传感器。背景技术:温度传感器包括测温单元和承载该测温单元的基底。温度传感器通常以导热率低的材料做基底,如在二氧化硅上淀积测温材料形成温度传感器。在工艺制程中,通过氧化硅片以在硅片表面生产一层二氧化硅,其中,二氧化硅的导热率较低,但是硅的导热率较高,为避免通过基底下部的硅导热,通常还需通过深槽刻蚀的方式对氧化硅层背面的硅进行刻蚀,如通过氢氧化钾的刻蚀液进行湿法刻蚀,也可用深反应离子刻蚀(deepreactiveionetching)工艺进行干法刻蚀。无论是湿法刻蚀还是干法刻蚀,其工艺时间都会较长且成本较高。技术实现要素:基于此,有必要针对传统技术中温度传感器以二氧化硅为基底时获取基底的工艺时间较长且成本较高的问题,提出了一种新的温度传感器制备方法。温度测量应用非常广,不仅生产工艺需要温度控制,有些电子产品还需对它们自身的温度进行测量。东莞特大规模温度传感器封装

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    会在半导体内部产生温差电动势,不同类型的半导体其温差电动势不同,将两种半导体两端连接形成闭合回路时,在回路中有电流产生,半导体两端的温差不同时,所产生的电动势不同。在本方案中,采用n型半导体和p型半导体构成塞贝克结构且多个塞贝克结构串联,可以增强温度传感器的灵敏度。在一实施例中,可以将温度传感器两输出端子作为冷端且保持冷端温度恒定,将串联的多晶硅层作为热端感测实际环境温度,当环境温度发生变化时,冷端和热端的温差发生变化,因此冷端的电势会发生变化,与显示仪表连接后,显示仪表会显示热电偶受当前环境温度影响得到的电势所对应的热端温度,即当前环境温度。通常,形成测温单元还包括钝化步骤,即,步骤s136:在金属层上形成钝化层,并在钝化层上对应温度传感器引出输出端子处设有通孔。因上述热电偶传感器中上层有金属结构如金属铝层,对于直接暴露在空气中时容易氧化的金属层,其上还形成一层钝化层,可对金属结构进行保护。同时,需要在对应温度传感器引出端子处开设通孔,通过通孔可引出输出端子。在本实施例中,是在外侧多晶硅端部的金属铝上方的钝化层开设通孔。钝化层可为氧化硅层或氮化硅层,也可为叠设的氧化硅层和氮化硅层。长沙通讯温度传感器IC

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