长沙小规模温度传感器

时间:2023年10月23日 来源:

    需要在对应温度传感器引出端子处开设通孔,通过通孔可引出输出端子。在本实施例中,是在外侧多晶硅端部的金属铝上方的钝化层开设通孔。钝化层可为氧化硅层或氮化硅层,也可为叠设的氧化硅层和氮化硅层。上述温度传感器制备方法,可以得到氧化硅薄膜,且氧化硅薄膜与硅通过空腔隔离,空腔下方的硅不会影响上方氧化硅薄膜的隔离效果,因此无需通过深槽刻蚀工艺将多余的硅刻蚀掉,简化了制备过程。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括:一般经营项目是:电子产品及其配件的技术开发与销售;国内贸易等。本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际有名品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。节约制备时间,节省了制备成本。由于氧化硅薄膜导热率低,将测温单元制备在氧化硅薄膜上,具有较好的测温效果,使温度传感器性能更加稳定。本发明还涉及一种温度传感器,包括:基底,基底包括硅片和在硅片上形成的氧化硅薄膜,硅片和氧化硅薄膜之间形成有空腔;和测温单元,测温单元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上,所述测温单元用于感测环境温度。现货商深圳市美信美科技有限公司,只做原装进口温度传感器。长沙小规模温度传感器

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    上述温度传感器制备方法,可以得到氧化硅薄膜,且氧化硅薄膜与硅通过空腔隔离,空腔下方的硅不会影响上方氧化硅薄膜的隔离效果,因此无需通过深槽刻蚀工艺将多余的硅刻蚀掉,简化了制备过程,节约制备时间,节省了制备成本。由于氧化硅薄膜导热率低,将测温单元制备在氧化硅薄膜上,具有较好的测温效果,使温度传感器性能更加稳定。本发明还涉及一种温度传感器,包括:基底,基底包括硅片和在硅片上形成的氧化硅薄膜,硅片和氧化硅薄膜之间形成有空腔;和测温单元,测温单元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上,所述测温单元用于感测环境温度。如图2c所示,基底包括硅片20和氧化硅薄膜23,硅片20和氧化硅薄膜之间形成有空腔22。测温单元是温度传感器的工作单元,温度传感器通过该测温单元感知温度后形成电信号并输出,在本方案中,测温单元形成于氧化硅薄膜23上且位于空腔上方。在一实施例中,测温单元为一热电阻传感结构,包括:金属层,金属层为金属铂层,金属铂层呈连续弓字形结构;和第二金属层,位于金属铂层外侧两端,用于引出温度传感器的输出端子。如图3和图4所示,氧化硅薄膜23上淀积有一层金属层30,该金属层30为金属铂层,即热电阻传感结构选用铂热电阻。石家庄双列直插型温度传感器哪个品牌好温度传感器深圳哪家较好的,认准深圳美信美。

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    利用金属铂在温度变化时自身电阻值也会随着温度改变的特性来测量温度,温度传感器的输出端子与显示仪表连接,显示仪表会显示受温度影响得到的铂电阻对应的温度值。通常,形成测温单元还包括钝化步骤,即,步骤s133:在金属层上形成钝化层,并在钝化层上对应所述温度传感器引出输出端子处设有通孔。因上述热电阻传感器中上层有金属结构如金属铝和金属铂,对于直接暴露在空气中时容易氧化的金属层,其上还形成一层钝化层,可对金属层进行保护。同时,需要在对应温度传感器引出端子处开设通孔,通过通孔可引出输出端子。在本实施例中,是在两端的金属铝上方的钝化层开设通孔。钝化层可为氧化硅层或氮化硅层,也可为叠设的氧化硅层和氮化硅层。在一实施例中,测温单元为一热电偶传感结构,其具体形成过程为:步骤s134:在所述氧化硅薄膜上淀积一层多晶硅层,所述多晶硅层包括并排且间隔设置的n型多晶硅条和p型多晶硅条。如图5和图6所示,在氧化硅薄膜23上淀积一层多晶硅层50,该多晶硅层50包括并排且间隔设置的n型多晶硅条51和p型多晶硅条52。n型多晶硅可为在多晶硅内部掺杂ⅴ族元素形成导电类型为n型的多晶硅,且其内部掺杂均匀。

    深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括:一般经营项目是:电子产品及其配件的技术开发与销售;国内贸易等。本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际有名品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。本发明涉及温度传感器领域,特别是涉及一种温度传感器制备方法及温度传感器。背景技术:温度传感器包括测温单元和承载该测温单元的基底。温度传感器通常以导热率低的材料做基底,如在二氧化硅上淀积测温材料形成温度传感器。在工艺制程中,通过氧化硅片以在硅片表面生产一层二氧化硅,其中,二氧化硅的导热率较低,但是硅的导热率较高,为避免通过基底下部的硅导热,通常还需通过深槽刻蚀的方式对氧化硅层背面的硅进行刻蚀,如通过氢氧化钾的刻蚀液进行湿法刻蚀,也可用深反应离子刻蚀(deepreactiveionetching)工艺进行干法刻蚀。无论是湿法刻蚀还是干法刻蚀,其工艺时间都会较长且成本较高。技术实现要素:基于此,有必要针对传统技术中温度传感器以二氧化硅为基底时获取基底的工艺时间较长且成本较高的问题,提出了一种新的温度传感器制备方法。好的温度传感器供应,深圳美信美科技就是牛。

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    如真空环境或者惰性气体环境,保证在热退火过程中硅不会与环境中的物质发生化学反应。在本实施例中。热退火在氢气环境中进行。步骤s:氧化所述空腔上部的硅片得到氧化硅薄膜。通过热氧化工艺氧化空腔上部的硅片以形成氧化硅薄膜(如图c所示)。在℃~℃的高温环境中。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括:一般经营项目是:电子产品及其配件的技术开发与销售;国内贸易等。本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。本公司一直秉承优势服务,诚信合作的原则,以现代化管理以及优势的渠道价格、良好的信誉与广大客户建立了长期友好的合作关系,为广大厂商和市场客户提供优势的产品服务。通过外部供给氧气或者水蒸气使之与硅发生化学反应,可以在空腔上方得到一层热生长的氧化层。由于当氧化层达到一定厚度时,氧化反应几乎停止,因此当难以通过一次氧化工艺将空腔上方的硅全部氧化成氧化硅时,需要通过多次氧化步骤实现将空腔上方的硅全部氧化,具体为,进行次热氧化生成一层氧化硅薄膜后。深圳美信美温度传感器价格好。长沙小规模温度传感器

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    之前的若干沟槽会相互连通以在硅片内部形成一空腔结构。氧化空腔上部的硅片部分可以得到所需的氧化硅薄膜金属层包括位于相邻多晶硅条之间的金属结构,所述n型多晶硅条和p型多晶硅条通过所述金属结构串联,所述第三金属层还包括位于所述多晶硅层外侧两端的第二金属结构,用于引出所述温度传感器的输出端子。在其中一个实施例中,所述制备方法还包括:在所述金属层上形成钝化层,并在所述钝化层上对应所述温度传感器引出输出端子处设有通孔。还公开了一种温度传感器,包括:基底,所述基底包括硅片和在所述硅片上形成的氧化硅薄膜。所述硅片与所述氧化硅薄膜之间形成有空腔;和测温单元,所述测温单元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上,所述测温单元用于感测环境温度。上述温度传感器,由于其基底中氧化硅薄膜与硅之间形成有空腔,空腔下部的硅不会影响上部氧化硅的隔热效果,因此无需通过刻蚀工艺将基底下部的硅刻蚀掉,从而缩短产品制备的时间,且节约了成本。由于基底隔热效果较好。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括:一般经营项目是:电子产品及其配件的技术开发与销售;国内贸易等。本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR。长沙小规模温度传感器

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