长沙巨大规模集成电路IC

    为了达到这个目标，在过去的几十年间，存储单元组件的尺寸已经不断缩小。mtj器件超越其它存储器类型的一个优势是mtj器件的mtj可以制成非常小的尺寸。然而，在mram单元中，驱动晶体管(即，存取晶体管)用于在读取和/或写入操作期间选择性地向相关的mtj器件提供电压和/或电流。因为mram单元通常对写入操作使用相对高的电压和/或电流，所以驱动晶体管的尺寸可能相对较大。虽然可以使mram单元的mtj具有小的尺寸，但是相对大尺寸的驱动晶体管限制了存储器阵列内的小型ram单元可以缩小的程度。在一些实施例中，涉及集成芯片，该集成芯片包括具有多个存储单元(例如，mram单元)的存储器阵列，存储单元不包括驱动晶体管(即，不使用驱动晶体管来对存储单元提供电压和/或电流)。而且，多个存储单元分别包括调节访问装置，该调节访问装置被配置为选择性地对存储器阵列内的工作mtj器件提供访问。调节访问装置具有连接至工作mtj器件的一个或多个调节mtj器件。一个或多个调节mtj器件被配置为通过控制(即。调节)提供给工作mtj器件的电流来选择性地对工作mtj器件提供访问。通过使用调节访问装置来选择性地对存储器阵列内的工作mtj器件提供访问，可以减小存储器阵列内的存储单元(例如。随机存取存储器是常见类型的集成电路，所以密度高的设备是存储器，但即使是微处理器上也有存储器。长沙巨大规模集成电路IC

    所述印刷电路板具有布置在印刷电路板插座中的一个印刷电路板插座中的连接侧；安装在印刷电路板上的一个或多个集成电路。与集成电路热耦联的第二热接口材料层6；以及与第二热接口材料层6热耦联的能够移除的散热器，所述散热器具有越过印刷电路板的与连接侧相对的侧延伸的顶表面。在6处，将两个印刷电路装配件相对地放置在一起，使得所述印刷电路装配件中的每个印刷电路装配件上的散热器的顶表面与另一个印刷电路装配件上的热接口材料层接触，并且与该热接口材料层热耦联。在处，流程包括将每个冷却管6的端部耦联至分流管66a，以及将每个冷却管6的第二端部耦联至第二分流管66b。在处，流程包括将泵、热交换器和储液器与分流管66a和第二分流管66b流体流通地耦联。流程包括操作泵以将液体传送通过各冷却管6。如深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括：一般经营项目是：电子产品及其配件的技术开发与销售；国内贸易等。本公司主营推广销售AD（亚德诺）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等国际有名品牌集成电路。产品广泛应用于：汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。本文所使用的。东莞混合集成电路测试集成电路是现代化产业体系的关键枢纽，关系中国式现代化进程。

    凌特）以及TI、MAXIM、NXP等国际品牌集成电路。产品广泛应用于：汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。本公司一直秉承优势服务，诚信合作的原则，以现代化管理以及优势的渠道价格、良好的信誉与广大客户建立了长期友好的合作关系，为广大厂商和市场客户提供优势的产品服务。在一些实施例中，调节访问装置可以包括与工作mtj器件并联连接的薄膜电阻器和薄膜电阻器。在各个实施例中，调节访问装置可以包括具有基本类似的尺寸或具有不同的尺寸的电阻器。存储器阵列通过多条位线bl至bl和多条字线wl至wl连接至控制电路。在一些实施例中。控制电路包括连接至多条位线bl至bl的位线解码器和连接至多条字线wl至wl的字线解码器。调节访问装置连接在字线wlx(x＝或)和工作mtj器件之间，而工作mtj器件连接在调节访问装置和位线bly(y＝或)之间。为了访问工作mtj器件。位线解码器被配置为基于从控制单元接收的地址saddr选择性地向一条或多条位线bl至bl提供信号(例如，电压)。而字线解码器被配置为基于从控制单元接收的地址saddr选择性地向一条或多条字线wl至wl提供信号(例如，电压)。调节访问装置被配置为调节电流(提供给相关的工作mtj器件的信号)。

    内的工作mtj器件不受写入操作的步骤的影响，因为非零偏置电压v(例如。v)和第四非零偏置电压v(例如，v)之间的差异使得电流i流过存储单元a,内的调节mtj器件。然而，电流i的两倍小于切换电流isw，因此没有将数据状态写入至存储单元a,内的工作mtj器件。类似地，连接至字线wl和wl的工作mtj器件也不受写入操作的步骤的影响。b的示意图所示，通过将数据状态写入存储器阵列的行中的存储单元a,内的工作mtj器件来实施写入操作的步骤。通过将非零偏置电压v(例如，v)施加至字线wl和wl，将非零偏置电压v(例如，v)施加至位线bl和bl并且将第三偏置电压v(例如，v)施加至位线bl来实施写入操作的步骤。非零偏置电压v(例如，v)和第三偏置电压v(例如，v)之间的差异使得电流i流过存储单元a,内的调节mtj器件。电流i小于切换电流isw，使得存储单元a,内的调节mtj器件的状态不变。然而，电流i(其流过存储单元a,内的工作mtj器件)的两倍大于切换电流isw，以将数据状态写入存储单元a,内的工作mtj器件。存储单元a,和第三存储单元a,内的工作mtj器件不受写入操作的步骤的影响，因为非零偏置电压v(例如，v)和非零偏置电压v。例如，v)之间的差异使得小于切换电流的电流i流过存储单元a,和第三存储单元a。集成电路产业它不仅包含集成电路市场，也包括IP核市场、EDA市场、芯片代工市场、封测市场。

    连接至字线wl和wl的工作mtj器件也不受写入操作的步骤的影响。b的示意图所示，通过将数据状态写入存储器阵列的行中的存储单元a,内的工作mtj器件来实施写入操作的步骤。通过将非零偏置电压v(例如，v)施加至字线wl和wl，将非零偏置电压v(例如，v)施加至位线bl和bl并且将第三偏置电压v(例如，v)施加至位线bl来实施写入操作的步骤。非零偏置电压v(例如，v)和第三偏置电压v(例如，v)之间的差异使得电流i流过存储单元a,内的调节mtj器件。电流i小于切换电流isw，使得存储单元a,内的调节mtj器件的状态不变。然而，电流i(其流过存储单元a。内的工作mtj器件)的两倍大于切换电流isw，以将数据状态写入存储单元a,内的工作mtj器件。存储单元a,和第三存储单元a,内的工作mtj器件不受写入操作的步骤的影响，因为非零偏置电压v(例如，v)和非零偏置电压v。例如，v)之间的差异使得小于切换电流的电流i流过存储单元a,和第三存储单元a。内的调节mtj器件。然而，电流i的两倍小于切换电流isw，使得没有将数据状态写入至存储单元a,和第三存储单元a,内的工作mtj器件。图c示出了示出从工作mtj器件读取数据状态的读取操作的示意图的一些实施例。如示意图所示，通过将非零偏置电压v(例如。集成电路是20世纪50年代后期到60年代发展起来的一种新型半导体器件；长沙单极型集成电路工艺

集成电路是一种将多个电子元件集成在一起的电路。它是现代电子技术的重要组成部分。长沙巨大规模集成电路IC

    存取晶体管)的存储单元(例如，mram单元)。而且，存储单元包括调节访问装置，该调节访问装置具有被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的一个或多个调节mtj器件。在一些实施例中，涉及集成芯片。集成芯片包括连接至位线的工作磁隧道结(mtj)器件，工作mtj器件被配置为存储数据状态；以及连接在工作mtj器件和字线之间的调节访问装置，调节访问装置包括被配置为控制提供给工作mtj器件的电流的一个或多个调节mtj器件。在一些实施例中，一个或多个调节mtj器件分别包括固定层、介电阻挡层和通过介电阻挡层与固定层分隔开的自由层。在一些实施例中，调节访问装置还包括连接在字线和工作mtj器件之间的调节mtj器件，字线和字线连接至字线解码器。在一些实施例中，调节mtj器件具有比调节mtj器件更大的尺寸。在一些实施例中，调节访问装置还包括连接在位线和工作mtj器件之间的调节mtj器件，字线连接至字线解码器，并且位线和位线连接至位线解码器。在一些实施例中，工作mtj器件不位于存取晶体管器件正上方。在一些实施例中，集成芯片还包括连接在调节mtj器件和工作mtj器件之间的偏置电压线。在一些实施例中。工作mtj器件通过设置在衬底上方的介电结构与调节mtj器件横向分隔开。长沙巨大规模集成电路IC